HfO₂/Ge界面へのルチル型TiO₂挿入によるGeOx生成の抑制 (シリコン材料・デバイス)  [in Japanese] Suppression of GeO_x with rutile TiO_2 Interlayer between HfO_2 and Ge  [in Japanese]

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Author(s)

    • 小橋 和義 Kobashi Kazuyoshi
    • 明治大学理工学研究科:物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 Graduate School of Science and Technology, Meiji University
    • 長田 貴弘 Nagata Takahiro
    • 物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 Graduate School of Science and Technology, Meiji University:International Center for Materials Nanoarchitectonics(WPI-MANA), National Institute for Material Science(NIMS)
    • 生田目 俊秀 [他] Nabatame Toshihide
    • 明治大学理工学研究科:物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 International Center for Materials Nanoarchitectonics(WPI-MANA), National Institute for Material Science(NIMS)
    • 山下 良之 Yamashita Yoshiyuki
    • 物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 International Center for Materials Nanoarchitectonics(WPI-MANA), National Institute for Material Science(NIMS)
    • 知京 豊裕 Chikyow Toyohiro
    • 物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 International Center for Materials Nanoarchitectonics(WPI-MANA), National Institute for Material Science(NIMS)

Abstract

Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている.しかしながら、high-k/Ge界面の界面準位が大きいことが問題となっている。この問題を解決するために、我々はGe表面のパッシベーション層としてのルチル型TiO_2の効果を調べた。HfO_2とGeとの間にルチル型TiO_2を堆積させた結果、GeO_xの生成が効果的に抑制された。さらに、C-V測定において、小さなヒステリシス、EOT=0.84nmの優れた電気特性が得られた。

As a alternative of Si channel, the Ge channel has been proposed and has attracted much attention because of high electron and hole mobility. However, the critical problem of Ge MOS devices is high defect densities at the interface of high-k/Ge structures. To overcome this problem, we investigated rutile TiO_2 interlayer as a passivation layer. We fabricated rutile TiO_2 interlayer between HfO_2 and Ge, and found that the GeO_x formation was effectively suppressed. Moreover the good electrical properties with EOT=0.84 nm and small hysteresis were realized. These procedures would be one of the promising method for Ge MOS device.

Journal

  • Technical report of IEICE. SDM

    Technical report of IEICE. SDM 113(87), 25-28, 2013-06-18

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

Keywords

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110009778907
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10013254
  • Text Lang
    JPN
  • ISSN
    0913-5685
  • NDL Article ID
    024682873
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    NDL  NII-ELS 
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