Si基板上への鉄酸化物ナノドットのエピタキシャル成長とその電子状態測定

• 石部 貴史

• 中村 芳明

• 松井 秀紀

書誌事項

タイトル別名

• Si キバン ジョウ エ ノ テツ サンカブツ ナノドット ノ エピタキシャル セイチョウ ト ソノ デンシ ジョウタイ ソクテイ
• Epitaxial growth of iron oxide nanodots on Si substrate and their electronic states
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (87), 51-55, 2013-06-18

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 鉄酸化物
• 分子線エピタキシー
• ナノドット
• 電子状態
• 走査トンネル顕微鏡法
• Iron oxide
• Molecular beam epitaxy
• Nanodots
• Electronic states
• Scanning tunneling microscopy

詳細情報

• CRID: 1520290882981338112
• NII論文ID: 110009779102
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 024683056
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024683056
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles