半正定値緩和法を用いた LELECUT トリプルパターニングのためのレイアウト分割手法
書誌事項
- タイトル別名
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- LELECUT Triple Patterning Lithography Layout Decomposition using Positive Semidefinite Relaxation
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抄録
次世代リソグラフイ技術として,2 つのマスクをパタン形成のために,3 つ目のマスクを形成したパタンを削除するためのカットとして使用する LELECUT タイプのトリプルパターニングが議論されている.本稿では,与えられたレイアウトのパタンを形成するために,半正定植緩和法とランダマイズド算法を用いて LELECUT トリプルパターニングの 3 つのマスクのパタン形状を求める手法を提案する.
収録刊行物
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- 情報処理学会研究報告. SLDM, [システムLSI設計技術]
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情報処理学会研究報告. SLDM, [システムLSI設計技術] 2014 (6), 1-6, 2014-05-22
一般社団法人情報処理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1572543027722821120
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- NII論文ID
- 110009781844
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- NII書誌ID
- AA11451459
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- ISSN
- 09196072
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles
- KAKEN