半正定値緩和法を用いた LELECUT トリプルパターニングのためのレイアウト分割手法

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タイトル別名
  • LELECUT Triple Patterning Lithography Layout Decomposition using Positive Semidefinite Relaxation

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抄録

次世代リソグラフイ技術として,2 つのマスクをパタン形成のために,3 つ目のマスクを形成したパタンを削除するためのカットとして使用する LELECUT タイプのトリプルパターニングが議論されている.本稿では,与えられたレイアウトのパタンを形成するために,半正定植緩和法とランダマイズド算法を用いて LELECUT トリプルパターニングの 3 つのマスクのパタン形状を求める手法を提案する.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1572543027722821120
  • NII論文ID
    110009781844
  • NII書誌ID
    AA11451459
  • ISSN
    09196072
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles
    • KAKEN

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