30p-TJ-4 CAICISSによるMBEプロセスのその場観察(表面・界面)

• 片山 光浩

  理研

• 野村 英一

  理研:日本電気

• 加藤 政彦

  理研

• 副島 啓義

  島津製作所

• 青野 正和

  理研

書誌事項

タイトル別名

• 30p-TJ-4 In situ Observation of the MBE Growth of Ga and Ag Layers on Si(111) with CAICISS

収録刊行物

• 年会講演予稿集

  年会講演予稿集 44.2 (0), 406-, 1989

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390282681179656064
• NII論文ID: 110009792293
• DOI: 10.11316/jpsgaiyod.44.2.0_406_2
• ISSN: 24331139
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles