完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減

• 水谷 朋子

• 山本 芳樹

• 槇山 秀樹

書誌事項

タイトル別名

• カンゼン クウボウガタ Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAM セル ノ デンゲン デンアツ 0.4V ニ オケル セル デンリュウバラツキ テイゲン
• Reduced Cell Current Variability in Fully Depleted Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAM Cells at Supply Voltage of 0.4V
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (172), 47-52, 2013-08

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• ばらつき
• セル電流
• FD SOI
• Variability
• Cell Current

詳細情報

• CRID: 1520290883033288960
• NII論文ID: 110009806062
• NII論文ID: 110009806039
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 024831795
• NDL書誌ID: 024831206
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024831795
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I024831206
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles