28pAM-12 電子線照射下および暗黒下における4H-SiC中部分転位の運動(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

• 山下 善文

  岡山大院自然

• 下村 拓也

  岡山大院自然

• 藤井 悠司

  岡山大工

• 西川 亘

  岡山大院自然

• 林 靖彦

  岡山大院自然

書誌事項

タイトル別名

• 28pAM-12 Partial dislocation motion in 4H-SiC with/without electron beam irradiation

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集

  日本物理学会講演概要集 69.1.4 (0), 933-, 2014

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390282680938576512
• NII論文ID: 110009836927
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.69.1.4.0_933_1
• ISSN: 21890803
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles