10aAS-1 SiC-MOSデバイスにおけるプロトン拡散の理論的検討(10aAS 表面界面ダイナミクス/水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

• 白川 裕規

  筑波大

• 神谷 克政

  神奈工大

• 渡部 平司

  阪大

• 白石 賢二

  名大

書誌事項

タイトル別名

• 10aAS-1 Theoretical Study of Proton diffusion in SiC-MOS device

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集

  日本物理学会講演概要集 69.2.4 (0), 674-, 2014

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390282680941733632
• NII論文ID: 110009874291
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.69.2.4.0_674_1
• ISSN: 21890803
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles