8aAE-10 短寿命核^<12>Bのスピン-スピン緩和時間によるSi中B不純物拡散の研究(8aAE 格子欠陥(水素・照射損傷・拡散),領域10(構造物性(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)))

• 三原 基嗣

  阪大院理

• 上庄 康斗

  阪大院理

• 大野 淳一

  阪大院理

• 森田 祐介

  阪大院理

• 田中 聖臣

  阪大院理

• 篠崎 真一

  阪大院理

• 神戸 峻輔

  阪大院理

• 南園 忠則

  阪大院理

• 福田 光順

  阪大院理

• 松多 健策

  阪大院理

書誌事項

タイトル別名

• 8aAE-10 Diffusion of B impurities in Si studied by spin-spin relaxation time of short-lived nucleus ^<12>B

収録刊行物

• 日本物理学会講演概要集

  日本物理学会講演概要集 69.2.4 (0), 690-, 2014

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390282680941660160
• NII論文ID: 110009874320
• DOI: 10.11316/jpsgaiyo.69.2.4.0_690_1
• ISSN: 21890803
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles