表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性

• 西田 将太

• 梁 剣波

• 森本 雅史

書誌事項

タイトル別名

• ヒョウメン カッセイカ ボンディングホウ ニ ヨリ ケイセイ シタ Si/SiC ヘテロ セツゴウ ノ デンキ トクセイ
• Electrical properties of Si/SiC heterojunctions fabricated using surface-activated bonding
• レーザ・量子エレクトロニクス
• レーザ ・ リョウシ エレクトロニクス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (331), 21-25, 2013-11

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 表面活性化ボンディング
• Si
• SiC
• 電流電圧特性
• ヘテロ接合
• surface-activated bonding
• current-voltage characteristics
• heterojunction

詳細情報

• CRID: 1520009410145149312
• NII論文ID: 110009887979
• NII論文ID: 110009888005
• NII論文ID: 110009889621
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 025087830
• NDL書誌ID: 025087140
• NDL書誌ID: 025087071
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025087830
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025087140
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025087071
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles