有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNにおける欠陥準位の深準位過渡応答測定

• 桒田 宗一郎

• 小泉 淳

• 藤原 康文

書誌事項

タイトル別名

• ユウキ キンゾク キソウ エピタキシャルホウ ニ ヨリ サクセイ シタ Eu,Si キョウ テンカ GaN ニ オケル ケッカン ジュンイ ノ シンジュンイ カト オウトウ ソクテイ
• Deep-level transient spectroscopy study on defect levels in Eu,Si-codoped GaN grown by organometallic vapor phase epitaxy
• 電子部品・材料
• デンシ ブヒン ・ ザイリョウ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (330), 67-70, 2013-11

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• Eu添加GaN
• DLTS
• Eu-doped GaN

詳細情報

• CRID: 1520572360098032384
• NII論文ID: 110009887989
• NII論文ID: 110009889631
• NII論文ID: 110009888015
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 025087421
• NDL書誌ID: 025087967
• NDL書誌ID: 025087279
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025087421
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025087967
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025087279
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles