電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性

• 熊崎 祐介

• 渡部 晃生

• 谷田部 然治

Bibliographic Information

Other Title

• デンキ カガクテキ シュホウ ニ ヨル GaN タコウシツ コウゾウ ノ ケイセイ ト コウデンキョク トクセイ
• Photoelectrode properties of GaN porous structures formed by photo-assisted electrochemical process
• レーザ・量子エレクトロニクス
• レーザ ・ リョウシ エレクトロニクス

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 (331), 113-116, 2013-11

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• 多孔質構造
• GaN
• 電気化学
• 光電変換
• 光電極
• Porous structure
• Electrochemical Process
• Photoelectric Conversion
• Photoelectrode

Details

• CRID: 1520009410143909632
• NII Article ID: 110009887999
• NII Article ID: 110009889641
• NII Article ID: 110009888025
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 025088092
• NDL BIB ID: 025087476
• NDL BIB ID: 025087672
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025088092
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025087476
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025087672
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles