依頼講演 VO₂単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現

• 矢嶋 赳彬

• 二宮 裕磨

• 西村 知紀

書誌事項

タイトル別名

• イライ コウエン VO ₂ タンケッショウ ハクマク チュウ ノ テンイ オウリョク セイギョ ニ ヨル キュウシュン ナ キンゾク ゼツエンタイ テンイ ノ ジツゲン
• Ultra-sharp metal-to-insulator transition in a single crystal VO₂ thin film by controlling the local stress of transition
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (88), 65-67, 2014-06-19

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 金属絶縁体転移
• 転移応力
• 基板格子束縛
• スイッチング素子
• Metal-to-insulator transition
• stress of transition
• substrate strain
• switching device

詳細情報

• CRID: 1520290882119834368
• NII論文ID: 110009925380
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 025590285
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025590285
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles