C-4-11 薄層InAlAs増倍層を有するAPDの50Gbit/s高速・高感度動作(C4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

• 名田 允洋

  日本電信電話株式会社NTT先端集積デバイス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTT先端集積デバイス研究所

• 村本 好史

  日本電信電話株式会社NTTデバイスイノベーションセンタ

• 松崎 秀昭

  日本電信電話株式会社NTT先端集積デバイス研究所

書誌事項

タイトル別名

• C-4-11 50-Gbit/s high-speed and high-sensitivity operation of avalanche photodiode employing ultra-thin InAlAs avalanche layer

収録刊行物

• 電子情報通信学会総合大会講演論文集

  電子情報通信学会総合大会講演論文集 2015 (1), 207-, 2015-02-24

  一般社団法人電子情報通信学会

詳細情報

• CRID: 1574231877604115968
• NII論文ID: 110009926659
• NII書誌ID: AN10471452
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles