C-10-1 低真空熱窒化処理によるNi窒化物トランジスタの作製と評価(C-10,電子デバイス,一般セッション)
書誌事項
- タイトル別名
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- C-10-1 Evaluation of Ni nitride transistor was fablicated by low vaccum heat nitrided process
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収録刊行物
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- 電子情報通信学会総合大会講演論文集
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電子情報通信学会総合大会講演論文集 2015 (2), 48-, 2015-02-24
一般社団法人電子情報通信学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1570854177882981120
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- NII論文ID
- 110009926942
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- NII書誌ID
- AN10471452
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- CiNii Articles