C-10-1 低真空熱窒化処理によるNi窒化物トランジスタの作製と評価(C-10,電子デバイス,一般セッション)

書誌事項

タイトル別名
  • C-10-1 Evaluation of Ni nitride transistor was fablicated by low vaccum heat nitrided process

この論文をさがす

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1570854177882981120
  • NII論文ID
    110009926942
  • NII書誌ID
    AN10471452
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • CiNii Articles

問題の指摘

ページトップへ