モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出

• 土屋 英昭

• 石田 良馬

• 鎌倉 良成

書誌事項

タイトル別名

• モンテカルロホウ オ モチイタ Si ダブルゲート コウゾウ MOSFET ノ ジュンバリスティック ユソウ ケイスウ ノ チュウシュツ
• Quasi-Ballistic Transport Parameters in Si Double-Gate MOSFETs Extracted Using Monte Carlo Method
• シリコン材料・デバイス
• シリコン ザイリョウ ・ デバイス

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114 (291), 53-58, 2014-11

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 準バリスティック輸送
• モンテカルロ法
• 極薄チャネル構造
• チャネル膜厚ゆらぎ
• Quasi-Ballistic Transport
• Monte Carlo Method
• Ultrathin Body Structure
• Channel Thickness Fluctuation

詳細情報

• CRID: 1520853832625414400
• NII論文ID: 110009971789
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 025980761
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I025980761
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles