非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善 (シリコン材料・デバイス) -- (先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))  [in Japanese] Scaling Breakthrough for Analog/Digital Circuits by Suppressing Variability and Low-Frequency Noise for FinFETs by Amorphous Metal Gate Technology  [in Japanese]

Search this Article

Author(s)

Abstract

FinFETに非晶質金属ゲート電極を用いることにより、特性ばらつきと低周波ノイズの低減を試みた。非晶質TaSiNゲート電極において、多結晶TiNゲート電極に比較して顕著にFinFETのV_tばらつきが抑制され、かつTaSiNの組成変化によりしきい値調整が可能である。また、非晶質TaSiNゲート電極においてFinFETの低周波ノイズも顕著に抑制される。これらのV_tばらつきとノイズの抑制効果は、SoCのスケーリングを進める上で極めて有効である。

The effectiveness of amorphous metal gate (MG) in suppressing low-frequency noise (LFN) for FinFETs has been thoroughly investigated. It was demonstrated that the amorphous TaSiN MGs with various atomic compositions provide flexible tuning of threshold voltage (V_t) as well as small V_t variability. It was found that the TaSiN-MG FinFETs exhibit drastic reduction of LFN in comparison to the poly-crystalline TiN MG case. Suppression of V_t variability and LFN is highly beneficial to conduct further scaling of analog/digital components in SoC.

Journal

  • Technical report of IEICE. SDM

    Technical report of IEICE. SDM 114(421), 41-44, 2015-01-27

    The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    110010010022
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN10013254
  • Text Lang
    JPN
  • ISSN
    0913-5685
  • NDL Article ID
    026149551
  • NDL Call No.
    Z16-940
  • Data Source
    NDL  NII-ELS 
Page Top