Effect of As preadsorption on InAs nanowire heteroepitaxy on Si(111) : A first-principles study

• Koga, Hiroaki

抄録

新規ナノ物質である化合物半導体ナノワイヤをエレクトロニクスデバイスに応用する上で、シリコン基板へのヘテロ成長は極めて重要なプロセスです。最近の研究により、成長前のヒ素・インジウム吸着が不可欠であることがわかっています。この論文では、吸着表面構造の第一原理計算に基づき、その物理的要因を明らかにします。

収録刊行物

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics

  Physical review. B, Condensed matter and materials physics 80 (24), 245302-, 2009-12

  American Physical Society

キーワード

• ナノワイヤ
• ヘテロエピタキシー

詳細情報

• CRID: 1050282813978992000
• NII論文ID: 120001702441
• NII書誌ID: AA11187113
• ISSN: 1550235X
• ISSN: 10980121
• HANDLE: 2115/40002
• 本文言語コード: en
• 資料種別: journal article
• データソース種別:
  • IRDB
  • CiNii Articles