Comparative Study on Drive Current of III-V Semiconductor, Ge and Si Channel n- mosfets based on Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation

• 森, 隆志

• 東, 祐介

• 土屋, 英昭

• 三好, 旦六

収録刊行物

• IEEE Trans. on Nanotechnology

  IEEE Trans. on Nanotechnology 7 (2), 237-241, 2008-03

  Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

詳細情報

• CRID: 1050294045371465088
• NII論文ID: 120002753076
• HANDLE: 20.500.14094/90001276
• ISSN: 1536125X
• 本文言語コード: en
• 資料種別: journal article
• データソース種別:
  • IRDB
  • CiNii Articles