Characterization of Hot-Carrier Degraded SiGe/Si-Hetero-PMOSFETs

• Tsuchiya, Toshiaki

収録刊行物

• Thin Solid Films

  Thin Solid Films 508 (1-2), 326-328, 2006

  Elsevier

キーワード

• Metal oxide semiconductor (MOS) devices
• Silicon germanium
• Hot carrier effects
• Interfaces

詳細情報

• CRID: 1050001338485125888
• NII論文ID: 120005587465
• NII書誌ID: AA00863068
• ISSN: 00406090
• Web Site: http://ir.lib.shimane-u.ac.jp/24403
• 本文言語コード: en
• 資料種別: journal article
• データソース種別:
  • IRDB
  • CiNii Articles