Functional gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors using tunnel injection/ejection of trap charges enabling self-adjustable threshold voltage for ultralow power operation

• 中島 安理

• Nakajima Anri

• 工藤 貴史

• Kudo Takashi

• 伊藤 隆司

• Ito Takashi

収録刊行物

• Appl. Phys. Lett.

  Appl. Phys. Lett. 98 (5), 2011-01

  American Institute of Physics

詳細情報

• CRID: 1570572702841869440
• NII論文ID: 120006582092
• Web Site: http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100619123
• 本文言語コード: en
• データソース種別:
  • CiNii Articles