平行デュアルレーザビーム法によるシリコンウェーハのバルクキャリア寿命評価技術

• 金田, 寛

• 大村, 一郎

書誌事項

タイトル別名

• ヘイコウ デュアルレーザビームホウ ニ ヨル シリコンウェーハ ノ バルクキャリア ジュミョウ ヒョウカ ギジュツ
• Dual laser beam technique to evaluate bulk lifetime of free carriers in silicon wafers

抄録

A steady-state distribution of free carriers is generated in the silicon wafer by irradiating the 1064-nm YAG laser beam. By measuring the behavior of refraction of another infrared laser beam caused by the generated free carriers, we derive the distribution of the generated free carriers, to finally obtain the diffusion length and lifetime of the free carriers.

電子デバイス/半導体電力変換 合同研究会, 九州工業大学　戸畑キャンパス, 2016-11-14/2016-11-15

収録刊行物

• 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会

  電子デバイス/半導体電力変換合同研究会 2016 (63-77), EDD-16-073-, 2016-11-15

  一般社団法人電気学会

キーワード

• パワーデバイス
• シリコンウェーハ
• 評価
• キャリアライフタイム
• レーザー
• 屈折
• キャリア濃度分布

詳細情報

• CRID: 1050574047135176576
• NII論文ID: 120006664995
• NII論文ID: 40021401063
• NII書誌ID: AN1044178X
• HANDLE: 10228/00006157
• NDL書誌ID: 027784079
• NDL書誌ID: 028698826
• Web Site: https://kyutech.repo.nii.ac.jp/records/4945
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I027784079
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I028698826
• Web Site: https://search.jamas.or.jp/link/ui/1967082075
• 本文言語コード: ja
• 資料種別: conference paper
• データソース種別:
  • IRDB
  • NDL
  • CiNii Articles