Design and formation of SiC (0001)/SiO2 interfaces via Si deposition followed by low-temperature oxidation and high-temperature nitridation

• 小林, 拓真

• 奥田, 貴史

• 立木, 馨大

• 伊藤, 滉二

• 松下, 雄一郎

• 木本, 恒暢

抄録

逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功 --非酸化による酸化膜形成で高品質化10倍--. 京都大学プレスリリース. 2020-08-24.

収録刊行物

• Applied Physics Express

  Applied Physics Express 13 (9), 2020-09-01

  IOP Publishing

詳細情報

• CRID: 1050566774961125888
• NII論文ID: 120006879475
• ISSN: 18820778
• HANDLE: 2433/254069
• 本文言語コード: en
• 資料種別: journal article
• データソース種別:
  • IRDB
  • CiNii Articles