粒子衝突によって処理した基板上へのダイヤモンド気相合成  [in Japanese] Diamond Synthesis on Substrate Treated by Collision of Particles.  [in Japanese]

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Abstract

Si基板表面に比較的大きな粒子を衝突させることによって基板表面の処理を行い, ダイヤモンド合成に対する効果を検討した.ダイヤモンド合成は, マイクロ波プラズマ法によって行った.<BR>はじめに, 通常のガス-固系流動層を用いて流動化している粒子を5mm角のSi基板表面に衝突させることによって前処理を行ったところ, 粒子析出密度が著しく増大した.処理の効果は, 流動化粒子種類, 流動化粒子径, 流動化ガス流速, 基板設置位置によって影響された。また, 流動層による基板表面処理は, ダイヤモンド合成前に行っても合成中に行ってもその効果が顕著に認められた.<BR>次に, 衝突の強さを制御した粒子をSi基板表面に所定の回数, 衝突させることによって基板表面処理を行った.その結果, ダイヤモンドの核発生に適した表面状態を形成するために必要な衝突粒子の運動エネルギー範囲があることがわかった.

Diamond synthesis was carried out on a Si wafer surface by microwave plasmaenhanced chemical vapor deposition. A 5mm×5mm Si wafer was treated by the collision of particles. The Si wafer was immersed in a bed where relatively large particles were fluidized by fluidizing gas. The treated Si wafer was used for the deposition of diamond. The particle deposition density of diamond was enormously enhanced by the fluidized-bed treatment. The effectiveness of the treatment on the particle deposition density was affected by the kind of fluidizing particle, particle diameter, fluidizing gas velocity and the position of the Si wafer in the fluidized bed. <I>In situ</I> fluidized-bed treatment was also very effective for the nucleation of diamond. By using a Si wafer treated by the particles where both the kinetic energy and the number of collisions were controlled, the kinetic energy for the nucleation of diamond was determined.

Journal

  • KAGAKU KOGAKU RONBUNSHU

    KAGAKU KOGAKU RONBUNSHU 17(4), 796-801, 1991

    The Society of Chemical Engineers, Japan

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    130000868854
  • NII NACSIS-CAT ID (NCID)
    AN00037234
  • Text Lang
    JPN
  • ISSN
    0386-216X
  • NDL Article ID
    3731944
  • NDL Source Classification
    PA45;PA34
  • NDL Source Classification
    ZP5(科学技術--化学・化学工業--化学工学)
  • NDL Call No.
    Z17-725
  • Data Source
    NDL  J-STAGE 
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