ダイヤモンド半導体を用いた強磁性ショットキー接合の作製

  • 宗宮 嵩
    名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
  • 植田 研二
    名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
  • 深谷 直人
    名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
  • 宮脇 哲也
    名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻
  • 浅野 秀文
    名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Ferromagnetic Schottky junctions using diamond semiconductors
  • ダイヤモンド ハンドウタイ オ モチイタ キョウジセイ ショットキー セツゴウ ノ サクセイ

この論文をさがす

抄録

  Ferromagnetic Schottky junctions using Co1-xFex or Ni1-x Fex (x = 0∼1) were fabricated on H-terminated diamond and their interfacial characteristics were evaluated. A clear work function dependence of the Schottky barrier height (ΦB) was obtained for these junctions, indicating that the Schottky barrier height between H-terminated diamond and ferromagnetic metals can be controlled by selecting metals with appropriate work functions. ΦB for Ni and NiFe, which have higher work functions above 5 eV, is lower than ΦB for other ferromagnetic metals. These results indicate that ferromagnetic metals with higher work function are promising for spin injection into diamond semiconductors.

収録刊行物

被引用文献 (1)*注記

もっと見る

参考文献 (17)*注記

もっと見る

関連プロジェクト

もっと見る

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ