超高真空原子間力顕微鏡による化合物半導体へき開面の接触および非接触原子分解能観察

• 大田 昌弘

  広島大学理学部物理学科

• 上山 仁司

  広島大学理学部物理学科

• 菅原 康弘

  広島大学理学部物理学科

• 森田 清三

  広島大学理学部物理学科

書誌事項

タイトル別名

• Atomic resolution image of cleaved surface of compound semiconductors observed with ultrahigh-vacuum atomic force microscope in contact and noncontact modes

抄録

「AFMは本当に探針先端の1個の原子と試料表面の1個の原子の間に働く単一の原子間力を測定しているのか?」という疑問が投げかけられている.そこで,AFMによる単原子観察条件解明のためのひとつのアプローチとして,UHV-AFMを用いて化合物半導体へき開面の観察を行った.接触モードの測定では,GaAsとInP, InAs, ZnSSeの(110)へき開面で原子分解能観察に初めて成功した.またInP (110)へき開面において非接触モードのUHV-AFM観察を行った結果,初めて原子分解能観察に成功するとともに,接触モードでは観察することができなかった格子欠陥も観察することができた.

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 64 (6), 583-587, 1995

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• atomic resolution
• ultrahigh vacuum atomic force microscope
• cleaved surface
• compound semiconductor
• contact mode
• non-contact mode
• point defects

詳細情報

• CRID: 1390282679573902080
• NII論文ID: 130003593425
• DOI: 10.11470/oubutsu1932.64.583
• COI: 1:CAS:528:DyaK2MXmslert7Y%3D
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可