高純度オゾンビームを利用したシリコン酸化膜形成と表面クリーニング

• 一村 信吾

  電子技術総合研究所

• 黒河 明

  電子技術総合研究所

• 中村 健

  電子技術総合研究所

• 野中 秀彦

  電子技術総合研究所

書誌事項

タイトル別名

• Application of high-purity ozone beam to silicon-oxide thin-film formation and surface cleaning

抄録

液体オゾンの平衡蒸気圧を制御して高純度オゾンビームを供給する手法・装置と,高純度オゾンビームをシリコンの酸化反応,およびシリコン基板上の有機薄摸のエッチング反応に用いた研究を紹介した.オゾンと酸素ガス(分子)による酸化・エッチング反応の比較,およびこれらの表面反応の2倍高調波発生法 (SHG) とX線光電子分光法 (XPS) を用いた解析結果を遅して,オゾンから解離生成した原子状酸素の果たす役割と効果,およびオゾン照射と同時に紫外光を照射することで生成できる励起状態原子状酸素の優れた特徴を明らかにした.

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 67 (6), 673-677, 1998

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• high-purity ozone beam
• silicon oxide thin film formation
• silicon surface cleaning
• second harmonic generation
• x-ray photoelectron spectroscopy

詳細情報

• CRID: 1390001204595700352
• NII論文ID: 130003593839
• DOI: 10.11470/oubutsu1932.67.673
• COI: 1:CAS:528:DyaK1cXjsFGht7Y%3D
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可