シリコン中の水素-炭素複合欠陥の構造と水素の局所運動

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タイトル別名
  • Structure of a hydrogen-carbon complex and local motion of hydrogen in silicon

抄録

半導体での挙動が注目されている水素関連欠陥のミクロな構造と水素の運動に関する知晃を得るために,一軸性圧縮応力下でのDLTS測定を試みた.モデルケースとして,シリコン中の水素-炭索複合欠陥を研究した.応力により分裂したDLTSピークの強度比と,ボンド方向の圧縮応力による複合欠陥のエネルギー増加から,水素がC-Si間の結合中心位置に存在すると結論した.さらに,複合欠陥の応力配向過程や応力除去後の緩和過程から,炭素近傍での水素の局所運動を観測し,この運動に水素の荷電状態が大きく影響することを明らかにした.

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 68 (2), 161-165, 1999

    公益社団法人 応用物理学会

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282679572771072
  • NII論文ID
    130003593967
  • DOI
    10.11470/oubutsu1932.68.161
  • COI
    1:CAS:528:DyaK1MXhtV2msbo%3D
  • ISSN
    21882290
    03698009
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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