Ｓｉ表面清浄化と成膜における表面水素　ＨＦ／ＵＶＯＣ法とシランＡＬＥ

• 末光 眞希

  東北大学電気通信研究所

書誌事項

タイトル別名

• Use of Surface Hydrogen in Si Surface Cleaning and Si Epitaxy. HF/UVOC and Silane ALE.
• HF/UVOC and Silane ALE
• HF/UVOC法とシランALE

抄録

Siプロセスにおける表面水素の役割を,種々の吸着に対する保護膜として位置附けて論じた。表面水素を酸化(酸素,水の吸着)あるいは汚染吸着に対する保護膜として考えるのがいわゆるHF処理だが,その保護性は不完全である。HF処理の欠点を補うために,HF処理の後にUVオゾンクリー二ングを行うHF/UVOC法を開発した。表面水素はエピタキシー原料ガスに対しても吸着保護膜としてはたらく。これはCVDやGSMBEの成長律速要因として機能するが,一方これを積極的に成長制御因子として利用することが可能である。著者らは表面水素を利用したシラン原子層エピタキシーを開発し,1/4原子層単位で成長が制御できることを見出した。

収録刊行物

• 表面科学

  表面科学 13 (6), 332-338, 1992

  公益社団法人 日本表面科学会

詳細情報

• CRID: 1390282681431199488
• NII論文ID: 130003683312
• DOI: 10.1380/jsssj.13.6_332
• ISSN: 18814743
• ISSN: 03885321
• Web Site: http://www.jstage.jst.go.jp/article/jsssj1980/13/6/13_6_332/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可