カーボン６０とシリコン表面の相互作用

• 須藤 彰三

• 坂本 一之

• 脇田 高徳

書誌事項

タイトル別名

• Interaction of C60 with Silicon Surfaces.
• カーボン 60 ト シリコン ヒョウメン ノ ソウゴ サヨウ

抄録

最近の走査プローブ顕微鏡, 特に走査トンネル顕微鏡(STM)の技術的進歩により, 表面の原子像が容易に得られ, 原子や分子の操作も可能になってきた. その結果, それらの任意配列を目指す一つの研究の流れができている. 筆者らは, その原子像の背後にある表面のポテンシャルや吸着原子と表面の相互作用を研究する手段として, 高分解能電子エネルギー損失分光法とSTMの複合測定装置を開発してきた. ここでは, シリコン表面に吸着したカーボン60を例に, その有効性を紹介する.

収録刊行物

• 日本物理学会誌

  日本物理学会誌 53 (3), 197-200, 1998

  一般社団法人 日本物理学会

詳細情報

• CRID: 1390001205404864384
• NII論文ID: 110002077253
• NII論文ID: 130004067531
• NII書誌ID: AN00196952
• DOI: 10.11316/butsuri1946.53.197
• ISSN: 24238872
• ISSN: 00290181
• NDL書誌ID: 4423057
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4423057
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可