埋め込み電極を用いた塗布型有機電界効果トランジスタの高性能化

• 木村 友

  大阪府立大学大学院 工学研究科 電子·数物系専攻

• 永瀬 隆

  大阪府立大学大学院 工学研究科 電子·数物系専攻 大阪府立大学分子エレクトロニックデバイス研究所

• 小林 隆史

  大阪府立大学大学院 工学研究科 電子·数物系専攻 大阪府立大学分子エレクトロニックデバイス研究所

• 瀧宮 和男

  広島大学大学院 工学研究科 応用化学専攻

• 池田 征明

  日本化薬株式会社　機能化学品研究所 九州大学最先端有機光エレクトロニクス研究センター

• 内藤 裕義

  大阪府立大学大学院 工学研究科 電子·数物系専攻 大阪府立大学分子エレクトロニックデバイス研究所

書誌事項

タイトル別名

• High Performance of Solution-Processed Organic Field-Effect Transistors using Embedded Electrodes

抄録

本研究では，可溶性低分子半導体C₈-BTBTを用いたトップゲートボトムコンタクト型有機電界効果トランジスタに埋め込み型のソース·ドレイン電極を用いることで，半導体層の平坦化によりトランジスタ特性の高性能化を行った．埋め込み電極を有するトップゲートボトムコンタクト型C₈-BTBT FETは良好なFET特性を示し，最高移動度4.9cm²/Vsが得られた．このような高移動度は微結晶シリコン薄膜トランジスタに比肩するものである．

収録刊行物

• 日本画像学会誌

  日本画像学会誌 53 (1), 3-8, 2014

  一般社団法人 日本画像学会

キーワード

• 有機電界効果トランジスタ
• C₈-BTBT
• トップゲート構造
• 埋め込み電極

詳細情報

• CRID: 1390001204097292800
• NII論文ID: 130004484070
• DOI: 10.11370/isj.53.3
• ISSN: 18804675
• ISSN: 13444425
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可