半導体発光デバイスの劣化解析と劣化抑制

• 上田 修

  Graduate School of Engineering, Kanazawa Institute of Technology

書誌事項

タイトル別名

• Degradation Analysis of Semiconductor Optical Devices and Suppression of Degradation

抄録

各種化合物半導体多層薄膜から作製されたLEDや半導体レーザといった半導体発光デバイスは，現在，社会，産業，家庭における様々なシステムや機器に搭載されている.このような発光デバイスは，機器への不適切な実装や過酷な条件での使用などで劣化し，機器やシステムの不具合や障害，事故の原因となる.そこで，本稿では，赤色・赤外デバイスを中心とした発光デバイスの種々の劣化モードについて，劣化メカニズム，解析事例，及び抑制方法について解説する．

収録刊行物

• ＩＥＩＣＥ　ＦＵＮＤＡＭＥＮＴＡＬＳ　ＲＥＶＩＥＷ

  ＩＥＩＣＥ　ＦＵＮＤＡＭＥＮＴＡＬＳ　ＲＥＶＩＥＷ 6 (4), 294-304, 2013

  一般社団法人 電子情報通信学会

キーワード

• 発光デバイス
• LED
• 半導体レーザ
• 劣化
• 劣化解析
• ダーク欠陥
• TEM
• 転位
• 点欠陥
• 非発光再結合

詳細情報

• CRID: 1390001205341942400
• NII論文ID: 130004554749
• DOI: 10.1587/essfr.6.294
• ISSN: 18820875
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/essfr/6/4/6_294/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • Crossref
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可