高速伝送対応のSi貫通配線構造

• 住川 雅人

  シャープ(株) 生産技術開発推進本部 モノづくり革新センター

• 江刺 正喜

  東北大学　未来科学技術共同研究センター

書誌事項

タイトル別名

• Si through electrode for high speed transmission

抄録

Si基板の新たな貫通配線構造を考案し、作製プロセスの検討を行った。近年の情報処理量の増大に伴い、LSIデバイス内部やデバイス間の接続には信号の高速化が求められている。しかし、3次元化積層デバイスに適用されつつある従来のSi貫通配線構造では、不要輻射の発生や、外来ノイズに起因する信号品質の低下が懸念される。本研究では、この問題に対応すべく、貫通配線部の信号配線の周囲にシールド配線を有するとともに、平面配線と貫通配線部とが曲線的に滑らかに接続される貫通配線構造を考案した。そして、この構造を導体の埋め込み工程を経ずに効率的に作製するプロセスを考案し、予備的なプロセス検討を行った。これらのコンセプトの提示を行い、プロセス検討の途中経過を報告する。

収録刊行物

• エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集

  エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 19 (0), 117-118, 2005

  一般社団法人エレクトロニクス実装学会

キーワード

• 貫通配線

詳細情報

• CRID: 1390001205554617344
• NII論文ID: 130004588797
• DOI: 10.11486/ejisso.19.0.117.0
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可