GaNとAlの表面活性化接合と接合界面の電気的特性評価

• 金子 明弘

  東京大学

• 日暮 栄治

  東京大学

• 赤池 正剛

  東京大学

• 須賀 唯知

  東京大学

書誌事項

タイトル別名

• Surface activated bonding for GaN/Al and Electrical characterization of bonded interface

抄録

GaNはSiの約３倍のバンドギャップを持ち、青色レーザのような光学素子やパワーデバイスとして期待されている窒化物半導体である。このGaNにオーミック接触の電極を取り付ける試みが多く行われている。表面活性化手法では、表面の不純物が除去され原子レベルでの接合が可能となる為、ショットキー接触の原因となる接合界面における酸化膜がなくなり、理想的な接合ができると考えられる。そこで本研究では、GaNとAlに対しこの表面活性化手法を適用し接合を行った。また、接合界面における電気的特性の評価・検討を行った。

収録刊行物

• エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集

  エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 22a (0), 235-237, 2008

  一般社団法人エレクトロニクス実装学会

キーワード

• 窒化ガリウム
• 表面活性化接合
• 接合界面
• 直接接合

詳細情報

• CRID: 1390001205553931648
• NII論文ID: 130004589249
• DOI: 10.11486/ejisso.22a.0.235.0
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可