シリコン基板の前処理技術とCVDダイヤモンド膜の特性の関係

• 財部 剛

  熊本大学　大学院自然科学研究科

• 清水 正寛

  熊本大学　大学院自然科学研究科

• 峠 睦

  熊本大学　大学院自然科学研究科

• 渡邉 純二

  熊本大学　工学部

書誌事項

タイトル別名

• Relation between Pre-treatment Technique of Silicon Substrate and Characteristics of CVD Diamond Film

抄録

高能率で高品位なダイヤモンド膜をシリコン基板上に形成することを目的とし,基板前処理とダイヤモンド核密度の関係について調べた.シリコン基板の前処理として,傷付け処理や種付け処理を施し,温度,ガス圧力,プラズマ出力,ガス流量などのCVD条件を変えて膜形成を行い,膜の特性,特に核密度との関係を明らかにした.

収録刊行物

• 精密工学会学術講演会講演論文集

  精密工学会学術講演会講演論文集 2004A (0), 394-394, 2004

  公益社団法人 精密工学会

キーワード

• CVDダイヤモンド膜
• 傷付け処理
• ダイヤモンド密度
• CVD処理
• 核密度

詳細情報

• CRID: 1390001205648837632
• NII論文ID: 130004655669
• DOI: 10.11522/pscjspe.2004a.0.394.0
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可