Relation between Pre-treatment Technique of Silicon Substrate and Characteristics of CVD Diamond Film
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- Takarabe Takeshi
- Kumamoto University
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- Shimizu Masahiro
- Kumamoto University
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- Touge Mutsumi
- Kumamoto University
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- Watanabe Junji
- Kumamoto University
Bibliographic Information
- Other Title
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- シリコン基板の前処理技術とCVDダイヤモンド膜の特性の関係
Abstract
高能率で高品位なダイヤモンド膜をシリコン基板上に形成することを目的とし,基板前処理とダイヤモンド核密度の関係について調べた.シリコン基板の前処理として,傷付け処理や種付け処理を施し,温度,ガス圧力,プラズマ出力,ガス流量などのCVD条件を変えて膜形成を行い,膜の特性,特に核密度との関係を明らかにした.
Journal
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- Proceedings of JSPE Semestrial Meeting
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Proceedings of JSPE Semestrial Meeting 2004A (0), 394-394, 2004
The Japan Society for Precision Engineering
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Keywords
Details 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205648837632
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- NII Article ID
- 130004655669
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- Data Source
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- JaLC
- CiNii Articles
- KAKEN
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- Abstract License Flag
- Disallowed