光化学反応を応用したGaAsの精密加工技術
書誌事項
- タイトル別名
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- Use a photoreaction to precision processing of GaAs wafer
抄録
本研究はUV照射により起こるGaAsの光化学反応をケミカルメカニカルポリシング技術に応用することを目的としたものである。半導体は、それがもつバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを持つ光を照射されると、電子が励起する性質がある。そのとき、半導体は活性状態となり、化学反応を起こす。その性質を利用する、新しい研磨法を研究した。
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2004A (0), 410-410, 2004
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205648858112
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- NII論文ID
- 130004655684
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可