光化学反応を応用したGaAsの精密加工技術

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タイトル別名
  • Use a photoreaction to precision processing of GaAs wafer

抄録

本研究はUV照射により起こるGaAsの光化学反応をケミカルメカニカルポリシング技術に応用することを目的としたものである。半導体は、それがもつバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを持つ光を照射されると、電子が励起する性質がある。そのとき、半導体は活性状態となり、化学反応を起こす。その性質を利用する、新しい研磨法を研究した。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205648858112
  • NII論文ID
    130004655684
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2004a.0.410.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
    • KAKEN
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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