Use a photoreaction to precision processing of GaAs wafer

• Ishii Hideaki

  熊本大学　大学院自然科学研究科

• Watanabe Junnji

  熊本大学　工学部　知能生産システム工学科

• Touge Mutumi

  熊本大学　大学院自然科学研究科

• Hong Seokhyong

  熊本大学　大学院自然科学研究科

Bibliographic Information

Other Title

• 光化学反応を応用したGaAsの精密加工技術

Abstract

本研究はUV照射により起こるGaAsの光化学反応をケミカルメカニカルポリシング技術に応用することを目的としたものである。半導体は、それがもつバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを持つ光を照射されると、電子が励起する性質がある。そのとき、半導体は活性状態となり、化学反応を起こす。その性質を利用する、新しい研磨法を研究した。

Journal

• Proceedings of JSPE Semestrial Meeting

  Proceedings of JSPE Semestrial Meeting 2004A (0), 410-410, 2004

  The Japan Society for Precision Engineering

Keywords

• gallium arsenide
• photoreaction

Details

• CRID: 1390001205648858112
• NII Article ID: 130004655684
• DOI: 10.11522/pscjspe.2004a.0.410.0
• Data Source:
  • JaLC
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• Abstract License Flag: Disallowed