暗視野エバネッセント照明による回路パターン付きSiウエハ表面異物欠陥検出法に関する研究(第三報)

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タイトル別名
  • Study on Particle Detection for Patterned Wafers by Evanescent Light Illumination (3rd Report) -Theoretical Analysis of Background Scattering
  • 回路パターンが欠陥検出に及ぼす影響の理論的検討

抄録

近年,半導体デバイスの更なる高機能化への要求をみたすため,回路配線幅が100nm以下の微細化へのプロセスへ移行している.このような状況下,デバイス製造途中の回路パターン付きウエハ検査技術では,従来法では検出できない微細な欠陥の検出が問題となっている.そこで本研究では,エバネッセント光の非伝搬特性を利用した高感度ナノ欠陥計測法を提案する.本報では,FDTDシミュレーションにより回路パターンが欠陥検出に及ぼす影響を解析し,提案手法の有効な光学条件を検討したので報告する.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680626302336
  • NII論文ID
    130004655875
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2004a.0.625.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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