熱処理に伴うHfSiO<sub>x</sub>/SiO<sub>2</sub>/Si構造の界面酸化反応のX線CTR散乱測定

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タイトル別名
  • X-ray CTR Measurements of Oxidation Reaction at the interface of HfSiO<sub>x</sub>/SiO<sub>2</sub>/Si structures

抄録

次世代LSIのMOSFETの性能向上のため、高誘電率(high–k)ゲート絶縁膜の開発が進められている。本研究ではhigh–k/SiO2/Si構造における、窒化や後熱処理に伴う中間SiO2層の界面酸化反応について放射光によるX線CTR散乱測定を行った。その結果、窒化や後熱処理を施した界面では残留秩序構造の増加が確認され、界面での酸化反応が進行していることがわかった。

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  • CRID
    1390001205649544448
  • NII論文ID
    130004657183
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2005a.0.819.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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