暗視野エバネッセント照明による回路パターン付きSiウエハ表面異物欠陥検出法に関する研究(第四報)

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書誌事項

タイトル別名
  • Study on Particle Detection for Patterned Wafers by Evanescent Light Illumination (4th Report)
  • 擬似回路パターン表面上付着欠陥試料を用いたエバネッセント照明条件の検討

抄録

半導体製造工程では,回路線幅の微細化に伴い,従来手法では検出できない微細な欠陥の検出が問題となり歩留まりが悪化している.そこで本研究では,エバネッセント光照明を利用し,欠陥からの散乱光分布を検出することで, 微小欠陥を検出·評価する高感度ナノ欠陥計測法を提案している.本報では, FIB加工によりSi基板上に擬似回路パターンを作製し,その表面上に擬似欠陥を付着させた試料を用いて,最適な照明条件を検討したので報告する.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680628265472
  • NII論文ID
    130004657773
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2005s.0.646.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
    • KAKEN
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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