EEMによるSiC表面の平坦化

DOI
  • 久保田 章亀
    大阪大学 大学院工学研究科 精密科学専攻
  • 三村 秀和
    大阪大学 大学院工学研究科 精密科学専攻
  • 稲垣 耕司
    大阪大学 大学院工学研究科 精密科学専攻
  • 佐野 泰久
    大阪大学 大学院工学研究科 精密科学専攻
  • 山村 和也
    大阪大学 大学院工学研究科 附属超精密科学研究センター
  • 山内 和人
    大阪大学 大学院工学研究科 精密科学専攻
  • 森 勇藏
    大阪大学 大学院工学研究科 附属超精密科学研究センター

書誌事項

タイトル別名
  • Flattening SiC surface by elastic emission machining (EEM)

抄録

高硬度かつ化学的に安定である4H-SiC(0001)表面に対して,EEMによる平坦化加工を試みた.その結果,前加工表面に存在する無数の研磨痕が完全に除去され,表面粗さが0.1nm(RMS) 以下(測定領域2μm×2μm)で,結晶学的な原子配列に乱れのない超平滑表面が得られることを示した.

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680630195840
  • NII論文ID
    130004657897
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2005s.0.785.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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