遷移金属微粒子を用いた研磨法によるGaN基板の平坦化

• 宮本 士郎

  熊本大学 大学院自然科学研究科 機械システム工学専攻

• 久保田 章亀

  熊本大学 大学院自然科学研究科 産業工学専攻

• 安井 平司

  熊本大学 大学院自然科学研究科 産業工学専攻

• 山内 和人

  大阪大学 大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

書誌事項

タイトル別名

• Planarization of GaN Substrate by Polishing Technique using Fe Catalyst Particles
• Fundamental Examination of the Removal Characteristic under various conditions
• 基礎加工特性の検討

抄録

窒化ガリウム（GaN）は直接遷移型のワイドギャップ半導体であり，その優れた物性値から発光デバイスだけではなく，高周波・高出力電子デバイスヘの応用が期待されている．しかし，GaNは高硬度かつ熱的・化学的にも安定なため加工が困難である．本研究では鉄などの遷移金属と過酸化水素の反応により生成されるOHラジカルを用いた加工法を提案し，GaNの加工における基礎的な加工特性を明らかにした．

収録刊行物

• 精密工学会学術講演会講演論文集

  精密工学会学術講演会講演論文集 2008A (0), 445-446, 2008

  公益社団法人 精密工学会

キーワード

• GaN

詳細情報

• CRID: 1390282680629139200
• NII論文ID: 130004658644
• DOI: 10.11522/pscjspe.2008a.0.445.0
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可