大気圧プラズマ酸化による太陽電池用Si表面パッシベーション技術の開発

• 後藤 一磨

  大阪大 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• 卓 沢騰

  大阪大 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• 三宮 佑太

  大阪大 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• 金谷 優樹

  大阪大 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• 山田 高寛

  大阪大 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• 大参 宏昌

  大阪大 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• 垣内 弘章

  大阪大 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

• 安武 潔

  大阪大 工学研究科 精密科学・応用物理学専攻

抄録

薄型結晶Si太陽電池の高効率化において表面パッシベーション技術は必要不可欠である。本研究では大気圧プラズマ酸化によりSi表面のパッシベーション膜としてSiO₂およびAlO_xを形成した。高周波CV測定により、SiO₂は正の固定電荷を、AlO_xは負の固定電荷を10¹¹～10¹²cm^-3程度有するという結果が得られた。これより本手法はp型、n型Si両方に適用し得るパッシベーション技術であると考えられる。

収録刊行物

• 精密工学会学術講演会講演論文集

  精密工学会学術講演会講演論文集 2011A (0), 529-530, 2011

  公益社団法人 精密工学会

キーワード

• パッシベーション
• 太陽電池
• プラズマ酸化

詳細情報

• CRID: 1390001205654732160
• NII論文ID: 130004660284
• DOI: 10.11522/pscjspe.2011a.0.529.0
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可