エッチャント原料ガスフリーなプラズマエッチング法による太陽電池用シリコン基板の表面改質特性

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タイトル別名
  • Surface treatment characteristics of crystalline Si substrate by etchant source gas-free plasma etching method

抄録

現在結晶Si太陽電池の製造工程には,ウェット,ドライ,真空など様々な環境下での表面処理技術が用いられており,製造コストの増大につながっている.我々は,さらなる低コスト化に向け,大気圧一貫かつドライ環境下で,スループットの高い処理を可能とする原料ガスフリーなドライエッチング技術の開発を行っている.今回は,本手法をシリコン表面の反射率低減,さらにはダメージ層除去へ適用したので,その結果を報告する.

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205654807424
  • NII論文ID
    130004660286
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2011a.0.531.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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