エッチャント原料ガスフリーなプラズマエッチング法による太陽電池用シリコン基板の表面改質特性
書誌事項
- タイトル別名
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- Surface treatment characteristics of crystalline Si substrate by etchant source gas-free plasma etching method
抄録
現在結晶Si太陽電池の製造工程には,ウェット,ドライ,真空など様々な環境下での表面処理技術が用いられており,製造コストの増大につながっている.我々は,さらなる低コスト化に向け,大気圧一貫かつドライ環境下で,スループットの高い処理を可能とする原料ガスフリーなドライエッチング技術の開発を行っている.今回は,本手法をシリコン表面の反射率低減,さらにはダメージ層除去へ適用したので,その結果を報告する.
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2011A (0), 531-532, 2011
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205654807424
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- NII論文ID
- 130004660286
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可