プラズマ援用研磨法の開発（第4報）

• トウ 輝

  大阪大 工学研究科附属超精密科学研究センター

• 牧山 真也

  大阪大 工学研究科附属超精密科学研究センター

• 山村 和也

  大阪大 工学研究科附属超精密科学研究センター

書誌事項

タイトル別名

• Development of plasma assisted polishing (4th report)
• Mechanism for flattening of reaction sintered SiC by plasma assisted polishing
• 反応焼結SiC材におけるプラズマ援用研磨メカニズムの考察

抄録

反応焼結SiCの高能率かつ高品位な加工法として，水蒸気プラズマ照射による表面改質と軟質なセリア砥粒研磨を組み合わせたプラズマ援用研磨プロセスを開発した．プラズマ発生させる電力が低い（8 W）場合には加工面に突起状の構造物が観察され，高電力（12 W）の場合には突起状の構造物の密度と高さが減少する傾向にあった．本報では，プラズマ援用研磨における反応焼結SiCの平坦化メカニズムについて考察を行った．

収録刊行物

• 精密工学会学術講演会講演論文集

  精密工学会学術講演会講演論文集 2011A (0), 764-765, 2011

  公益社団法人 精密工学会

キーワード

• 大気圧プラズマ
• シリコンカーバイド
• 研磨
• 表面改質
• 酸化

詳細情報

• CRID: 1390001205654447744
• NII論文ID: 130004660415
• DOI: 10.11522/pscjspe.2011a.0.764.0
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可