Siのマイクロ波水素プラズマエッチングにおける水素ガス流れと熱伝導のシミュレーション

DOI

抄録

SiH4ガスの新規製造プロセスとしてSiのマイクロ波水素プラズマエッチングを提案している。本研究では、熱流体解析ソフト PHOENICS によりこの手法における水素ガス流れと熱伝導のシミュレーションを行った。エッチング領域でのガス速度、エッチング表面温度の見積もりが可能であることがわかり、実験結果との比較から条件最適化を行うことでSiH4ガス生成のさらなる高速・高効率化が期待できる。

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205656430720
  • NII論文ID
    130004660676
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2012a.0.333.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

問題の指摘

ページトップへ