プラズマ発生領域制限マスクを用いたPCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining) によるSiC基板の切断加工の検討

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抄録

炭化珪素(SiC)は優れた物性を持つ材料として期待されている。Siと比べて、SiCはバンドギャップ、熱伝導率、飽和電子移動度、いずれも上回っている。一方、SiCは高硬度、高脆性であるため、その加工には機械加工は不向きである。今回、大気圧プラズマを用いた化学加工をSiC基板のダイシングに応用した結果を報告する。本手法では、ラジカルによる化学反応のみで加工するためダメージフリーかつチッピンングレスなプロセスが実現できる。

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  • CRID
    1390282680633551104
  • NII論文ID
    130004660726
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2012a.0.425.0
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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