高圧マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングプロセスの評価

• 山田 高寛

  大阪大

• 山田 浩輔

  大阪大

• 足立 昴拓

  大阪大

• 大参 宏昌

  大阪大

• 垣内 弘章

  大阪大

• 安武 潔

  大阪大

書誌事項

タイトル別名

• Investigation of high-rate etching process of silicon by high-pressure microwave hydrogen plasma

抄録

Si太陽電池の更なる普及を推進するため，価格削減が求められている．そこで我々は，太陽電池用Si材料の原料となるSiH4ガスを安価に生成する新規な手法を開発するため，マイクロ波水素プラズマによる金属級Siの高速エッチングを提案している．本研究では，エッチング生成物であるSiH4の効率的な発生に影響を及ぼす基板温度やH2ガス流量などのプロセス条件と高速エッチング特性との関係について報告する．

収録刊行物

• 精密工学会学術講演会講演論文集

  精密工学会学術講演会講演論文集 2013A (0), 551-552, 2013

  公益社団法人 精密工学会

キーワード

• 太陽電池
• シラン
• シリコン
• ドライエッチング
• 水素

詳細情報

• CRID: 1390282680631779200
• NII論文ID: 130004661294
• DOI: 10.11522/pscjspe.2013a.0.551.0
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可