高圧マイクロ波水素プラズマによるシリコン高速エッチングにおけるプラズマ中でのシラン分解

• 山田 浩輔

  大阪大　工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

• 山田 高寛

  大阪大，JST CREST

• 足立 昂拓

  大阪大　工学部　応用自然科学科

• 大参 宏昌

  大阪大，JST CREST

• 垣内 弘章

  大阪大，JST CREST

• 安武 潔

  大阪大，JST CREST

抄録

我々はSi太陽電池の低価格化を実現するため，SiH₄ガスを安価に生成する新規な手法として，マイクロ波水素プラズマによる金属級Siの高速エッチングを提案している．本研究では発光分光計測を行い，SiH₄ガスの効率的な生成を阻害するプラズマ中でのSiH₄分解について検討した．SiH₄分解で生じるSi*発光強度は電極側に向けて増加することがわかった．この傾向は，プラズマ中でのSiH₄分子の移動による滞在時間増加の結果であると考えられる．

収録刊行物

• 精密工学会学術講演会講演論文集

  精密工学会学術講演会講演論文集 2013A (0), 553-554, 2013

  公益社団法人 精密工学会

キーワード

• シリコン
• エッチング
• プラズマ
• 水素
• 発光分光

詳細情報

• CRID: 1390001205655069056
• NII論文ID: 130004661295
• DOI: 10.11522/pscjspe.2013a.0.553.0
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可