大気圧VHFプラズマ によるSi の低温・ 高速成膜技術の開発

• 林 威成

  大阪大　大学院工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

• 岡村 康平

  大阪大　大学院工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

• 坂口 尭之

  大阪大　大学院工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

• 山田 高寛

  大阪大　大学院工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

• 大参 宏昌

  大阪大　大学院工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

• 垣内 弘章

  大阪大　大学院工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

• 安武 潔

  大阪大　大学院工学研究科　精密科学・応用物理学専攻

書誌事項

タイトル別名

• Low temperature and High-Rate Deposition of Si Films Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma
• Fabrication and Characterization of Bottom-Gate Thin Film Transistors
• 薄膜トランジスタの試作と性能評価

抄録

アモルファスSi(a-Si)や微結晶Si（uc-Si）は,薄膜トランジスタや薄膜Si太陽電池などの,種々の薄膜デバイスにおいて非常に重要な材料である.本研究では,大気圧下におけるVHF(very high-frequency)励起プラズマを用いたa-Siおよびuc-Si薄膜の低温・高速成膜技術の開発を行っている.今回,形成したSi薄膜の特性評価を行うとともに,膜の結晶化や特性に及ぼすプラズマパラメータの影響について検討した.また,形成したSi薄膜を用いてSiおよびガラス基板上に薄膜トランジスタを試作し，電気特性を評価したので報告する.

収録刊行物

• 精密工学会学術講演会講演論文集

  精密工学会学術講演会講演論文集 2013A (0), 565-566, 2013

  公益社団法人 精密工学会

キーワード

• 大気圧プラズマ
• 高速成膜
• 低温成膜

詳細情報

• CRID: 1390001205655057920
• NII論文ID: 130004661301
• DOI: 10.11522/pscjspe.2013a.0.565.0
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可